Ученые Физического института имени П. Н. Лебедева РАН (ФИАН) разработали практически бездефектную границу раздела между ферромагнетиком и антиферромагнетиком. Эта технология может стать основой для создания высокоскоростных и энергоэффективных вычислительных устройств. Об этом сообщили в институте.
Ферромагнетики и антиферромагнетики рассматриваются как перспективные материалы для спинтроники — направления электроники, в котором используются не только электрический заряд электрона, но и его квантовое свойство, спин. Каждый из этих типов материалов обладает особенностями, которые затрудняют их применение по отдельности.
Одним из возможных решений считается создание двумерного ферромагнитного слоя на поверхности слоистого антиферромагнитного кристалла. Такой подход позволяет объединить преимущества двух материалов.
Исследователям ФИАН удалось сформировать практически бездефектную ферромагнитно-упорядоченную границу внутри слоистого антиферромагнетика. По словам академика Владимира Пудалова, руководителя Центра высокотемпературной сверхпроводимости и квантовых материалов института, результат открывает новые перспективы для разработки быстрых и стабильных устройств с магнитным упорядочением на наноуровне.
В дальнейшем разработка может найти применение в технологиях хранения больших объемов информации и ее оперативной обработки.
Результаты исследования опубликованы в журнале Physical Review Materials, сообщает "Самара Онлайн 24" .
